AI算力板
工艺展示
| 层数 | 18L |
| 产品结构 | 6阶HDI |
| 板厚 | 2.9±0.18mm |
| 尺寸 | 328.93*405.13mm |
| 线宽/线距 | 0.059mm/0.088mm |
| 最小钻针 | 0.2mm |
| 理论处置 | 镍钯金 |
HDI作为高密度互连技术的主题载体，，，专一于解决电子设备微型化与高机能化的互联需要。其通过微盲孔、、、40/40μm精密线路及叠孔（Stack via）、、、填孔（Copper fill）等工艺实现超高密度布线，，，使元器件在紧凑空间内达到最优布局。该技术具备肆意层互连（ELIC）、、、高纵横比微孔加工及卓越信号齐全性节制能力，，，可有效提升高频机能并削减滋扰。公司已成功开发10L/12L ELIC、、、2+N+N+2、、、6+N+6等先进结构，，，宽泛利用于服务器、、、智能手机、、、高端穿戴设备及医疗微系统等领域，，，持续推动电子产品向轻薄化、、、多职能化发展。
工艺展示
| 层数 | 18L |
| 产品结构 | 6阶HDI |
| 板厚 | 2.9±0.18mm |
| 尺寸 | 328.93*405.13mm |
| 线宽/线距 | 0.059mm/0.088mm |
| 最小钻针 | 0.2mm |
| 理论处置 | 镍钯金 |
工艺展示
| 层数 | 26L |
| 产品结构 | 4阶 |
| 板厚 | 3.30±0.33mm |
| 资料 | R5775N |
| 线宽/线距 | 96/76um |
| 镭射孔径 | 100um |
| 理论处置 | ENIG |
工艺展示
| 层数 | 12L BU5 5阶(Anylayer) |
| 板材 | EM-526 |
| 板厚 | 0.94+/-0.10mm |
| 线宽/线距 | 0.05/0.05mm |
| 最小孔径 | 0.1mm |
| 理论处置 | 沉镍金 |
工艺展示
| 层数 | 10L(2+6+2） |
| 板材 | NY-3170M |
| 板厚 | 0.8mm |
| 线宽/线距 | 0.06/0.06mm |
| 镭射孔径 | 0.1mm |
| 理论处置 | OSP |
工艺展示
| 层数 | 12L( 4+4+4) |
| 板厚 | 1.2+/-0.12mm |
| 资料 | EM-390 |
| 线宽/间距 | 0.06/0.06mm |
| 镭射孔径 | 0.1mm |
| 理论处置 | ENIG |
